- AI大模型的快速发展推动了存储行业的需求增长,存储器市场正处于新一轮成长周期。
- 2024年全球NAND Flash市场预计将达到174.1亿美元,DRAM市场规模将攀升至293.45亿美元,主要厂商集中在三星、SK海力士等前五大企业。
- HBM市场因AI需求激增而快速增长,预计2030年前将维持33%的年复合增长率,超越DRAM市场营收。
- 建议关注长江存储、长鑫存储等未上市企业及相关上市公司,需警惕贸易摩擦、市场竞争及技术迭代带来的风险。
核心要点2存储行业正在迎来新一轮成长周期,主要受到AI大模型需求激增的推动。
根据WSTS统计,2024年全球半导体市场销售额预计为6305.49亿美元,其中存储芯片销售额约为1655.16亿美元。
NAND Flash市场在2024年第四季度规模为174.1亿美元,同比增42.4%;DRAM市场规模达到293.45亿美元,同比增66.1%。
AI的快速发展促进了高带宽内存(HBM)的需求,预计HBM市场在2030年前将保持33%的年复合增长率,届时营收将超过DRAM市场的50%。
NAND Flash市场在2025年上半年经历减产后,供需失衡情况改善,预计第三季度合约价将季增5%至10%。
铠侠透露,1000层3D NAND技术即将到来。
建议关注的公司包括长江存储、长鑫存储、澜起科技等。
风险因素包括贸易摩擦、政策变动、市场竞争加剧及技术迭代。
投资标的及推荐理由投资标的包括: 1. 长江存储(未上市) 2. 长鑫存储(未上市) 3. 澜起科技 4. 兆易创新 5. 紫光国微 6. 东芯股份 7. 江波龙 8. 北京君正 9. 佰维存储 10. 联芸科技 11. 德明利 12. 普冉股份 13. 香农芯创 14. 大为股份 15. 恒烁股份 16. 得一微(未上市) 推荐理由: - 存储行业正站上新一轮成长周期,特别是AI大模型的兴起推动了对存储芯片需求的激增。
- NANDFlash市场经过调整后供需关系改善,预计价格将逐季上涨,市场前景乐观。
- HBM(高带宽内存)市场因AI应用的增长而迅速发展,预计未来几年将保持高增长率。
- 相关企业在技术创新和市场份额方面具有潜力,特别是在3D NAND技术的推进下,行业竞争力将进一步增强。